Phison: Khủng hoảng thiếu NAND có thể kéo dài tới 10 năm — “siêu chu kỳ” bộ nhớ sắp bắt đầu, tình trạng thiếu hụt nghiêm trọng sẽ xảy ra vào năm 2026
Pua Khein-Seng — CEO của Phison Electronics Corporation — vừa đưa ra dự báo gây chú ý: tình trạng thiếu hụt NAND flash toàn cầu có thể kéo dài suốt 10 năm tới, bắt đầu từ năm 2026. Nhận định này vượt xa các dự báo hiện tại của nhiều chuyên gia, vốn chỉ cho rằng cuộc khủng hoảng nguồn cung sẽ kéo dài khoảng một năm.
Trong buổi phỏng vấn với tạp chí CommonWealth (Đài Loan), ông Pua nhấn mạnh rằng ngành bộ nhớ đang tiến vào một “siêu chu kỳ” (supercycle) mới:
“NAND sẽ thiếu hụt nghiêm trọng vào năm sau. Tôi cho rằng tình trạng này sẽ kéo dài ít nhất 10 năm.”
Vị CEO cho biết, nguyên nhân bắt nguồn từ việc các nhà sản xuất bộ nhớ cắt giảm đầu tư từ năm 2019–2020 do giá sụp đổ sau mỗi đợt mở rộng sản xuất. Đến năm 2023, Micron và SK Hynix lại dồn phần lớn vốn vào sản xuất HBM (High Bandwidth Memory) để phục vụ AI, khiến nguồn cung NAND càng thêm hạn chế.
Khi nhu cầu và giá NAND hồi phục, các “ông lớn” như SanDisk, Micron và Western Digital đã đồng loạt đóng băng hoặc tăng giá sản phẩm kể từ tháng 9, theo báo cáo của TrendForce.
Nguyên nhân chính vẫn là sự bùng nổ của trung tâm dữ liệu AI. Khi xu hướng chuyển dịch từ huấn luyện sang suy luận (inference) diễn ra mạnh mẽ, nhu cầu lưu trữ gần (nearline storage) — dạng lưu trữ trung gian giữa “nóng” và “lạnh” — đang tăng vọt. Dung lượng này được dùng để lưu trữ các phiên bản mô hình AI cũ, truy vấn lịch sử, hoặc dữ liệu người dùng ít truy cập.
Ông Pua nhấn mạnh rằng:
“Từ năm 2022, các công ty đám mây đổ xô mua GPU để huấn luyện mô hình. Nhưng huấn luyện chủ yếu dùng HBM, ít liên quan đến flash. Khi mô hình đã trưởng thành, giai đoạn suy luận mới là nơi họ kiếm tiền — và đó là lúc nhu cầu lưu trữ bùng nổ.”
Theo ông, trong 10 năm tới, các trung tâm dữ liệu sẽ đầu tư nhiều hơn cho hạ tầng lưu trữ, bởi “cốt lõi của trung tâm dữ liệu chính là lưu trữ — nơi dữ liệu người dùng được tạo ra và duy trì liên tục.”